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PBR951硅超高頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態范圍和理想的電流特性。主要應用于超高頻低噪聲功率管主要應用于VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。該芯片原產于PHILIPS，現在國內也有公司生產。北京鼎霖電子科技有限公司在該公司已有的軍用微波相控陣雷達功率放大器件生產技術的基礎上，為民用市場研制開發了系列高頻微波三極管，包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指標同NEC、philips同類產品相同。
參數
類別：NPN-硅通用高頻低噪聲寬帶NPN晶體管
集電極-發射極電壓VCEO：15V
集電極-基極電壓VCBO:20V
發射極-基極電壓VEBO:1.5V
集電極直流電流IC:100mA
總耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作結溫Tj:150℃
貯存溫度Tstg:-65~150℃
封裝形式：SOT-23
功率特性：中功率
極性：NPN型
結構：擴散型
材料：硅(Si)
封裝材料：塑料封裝
性能參數
擊穿電壓:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=1.5V
直流放大系數hFE: 60～250 @VCE=6V,IC=5mA
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)
發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
特征頻率fT:8.0GHz@ VCE=6V,IC=5mA
集電極允許電流IC：0.1（A）
集電極最大允許耗散功率PT：0.5（W）
功率增益GUM：14dB@IC=5mA,VCE=6V,f=1GHz
噪聲系數NF：1.3dB@IC=5mA,VCE=6V,f=1GHz
反饋電容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。
